產(chǎn)品詳情
        • 產(chǎn)品名稱:四探針薄膜厚度測(cè)試儀

        • 產(chǎn)品型號(hào):CY- SZT
        • 產(chǎn)品廠商:成越科儀
        • 產(chǎn)品文檔:
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        簡(jiǎn)單介紹:
        四探針測(cè)試儀用于半導(dǎo)體、薄膜、導(dǎo)電涂層等材料的電學(xué)性能測(cè)試。四探針薄膜厚度測(cè)試儀核心作用是消除接觸電阻和引線電阻的影響,從而獲得更準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果
        詳情介紹:

        四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四線法測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量裝置,配上專用的四探針測(cè)試架,就可以測(cè)量片狀,塊狀或柱狀半導(dǎo)體材料的徑向和軸向電阻率,測(cè)量擴(kuò)散層的薄層電阻(亦稱方塊電阻)。四探針測(cè)試架有電動(dòng),手動(dòng),手持三種可以選配,另外還配有四個(gè)夾子的四線輸入插頭用來(lái)作為測(cè)量線狀或片狀電阻的 中,低阻阻值.

        四探針測(cè)試儀(Four-Point Probe)是一種用于測(cè)量材料電阻率(resistivity)和薄層電阻(sheet resistance)的高精度儀器,尤其適用于半導(dǎo)體、薄膜、導(dǎo)電涂層等材料的電學(xué)性能測(cè)試。其核心作用是消除接觸電阻和引線電阻的影響,從而獲得更準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果。

        典型應(yīng)用場(chǎng)景:

        半導(dǎo)體行業(yè):硅片、GaAs等晶圓的電阻率測(cè)試。摻雜工藝后的電學(xué)性能驗(yàn)證。

        薄膜材料:ITO(透明導(dǎo)電膜)、太陽(yáng)能電池薄膜、金屬鍍層的薄層電阻測(cè)量。

        科研領(lǐng)域:納米材料(石墨烯、碳納米管)、有機(jī)半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性分析。

        工業(yè)生產(chǎn):液晶顯示(LCD)、柔性電路(FPC)的導(dǎo)電涂層質(zhì)量控制。

        四探針測(cè)試儀技術(shù)參數(shù):

        產(chǎn)品名稱

        四探針測(cè)試儀

        產(chǎn)品型號(hào)

        CY- SZT

        測(cè)量范圍

        電阻率

        10??-105?-cm

        方塊電阻

        10??- 105?/

        電阻

        10-?- 105 ?

        可測(cè)半導(dǎo)體材尺寸

               

        Ф15-100mm

        長(zhǎng)(或高)度

        400mm

        測(cè)量方位

        軸向,徑向均可

        數(shù)字電壓表

        量程

        20mV,200mV,2V

        誤差

        ±0.5%讀數(shù)±2

        輸入阻抗

        >10??

        分辨率

        10μV

        點(diǎn)陣液晶顯示

        過(guò)載顯示

        恒流源

        電流輸出

        共分10μA,100uA,1mA,10mA,100mA五擋可通過(guò)按鍵選擇,各擋均為定值不可調(diào)節(jié),電阻率探頭修正系和擴(kuò)散層方塊電阻修正系數(shù)均由機(jī)內(nèi)CPU運(yùn)算后,直接顯示修正后的結(jié)果

           

        ±0.5%±2

        四探針測(cè)試頭

        探 針 間 距

        1mm

        探針機(jī)械游移率

        ±1.0%

             

        碳化鎢(或高速鋼),Ф0.5mm

          

        交流

        220V±10%

        功耗

        <35W

        豫公網(wǎng)安備 41019702002438號(hào)